Микроэлектроника

[jokerok]

Всем привет, нужна помощь:
Определить:
1. контактную разность потенциалов φК p-n-перехода кремниевого диода;
2. Как изменится высота потенциального барьера, если приложить напряжение: a) U1; b) U2?
(см табл. 1);
3. Ширину p-n-перехода n-и р-областей dn и dp, а также полную ширину p-n-перехода d=
dn+dp;
4. максимальную величину напряженности поля Емакс.
Если известны проводимости n-и р-областей (σn и σр)
Собственная концентрация примесей в кремнии ni=1,4∙1010см-3.

σn,Ом-1 см-1 - 1,6
σр,Ом-1 см-1 - 2,4
μn, см2/В∙с - 1000
μр, см2/В∙с - 300
U1, В +0,3
U2, В -0,3

Хелп